In-line磁控溅射系统

In-line磁控溅射系统

设备用途

用于在晶体硅表面沉积金属薄膜(Al、Ag、Ni、Cu、Ti、Pd等),并能够实现反应溅射,可完成高、低真空下磁控溅射镀膜工艺,具备较大尺寸和多种尺寸规格的晶体硅光伏电池薄膜的连续制备能力。

设备组成

主要由进样室、溅射室、出样室、基片传递机构、抽气及真空测量系统、气路系统、电控系统、安装机台等部分组成。此外,该系统升级后,可达到5室结构(进样室、三个独立的溅射室、出样室;增加射频电源,提供制备介质膜的功能,并能实现连续镀膜)。

技术指标

主溅射真空室方形真空室,尺寸1000×700×350mm
进样室方形真空室,尺寸700×700×350mm
真空系统配置机械泵、分子泵、闸板阀
极限压力主溅射室≤8×10-5Pa(经烘烤除气后)
进样室≤6.6×10-4Pa(经烘烤除气后)
恢复真空时间主溅射室40分钟可达6.6×10-4Pa(短时间暴露大气并充入干燥氮气后开始抽气)
进样室、出样室20分钟可达5×10-3Pa(短时间暴露大气并充入干燥氮气后开始抽气)
磁控靶组件矩形靶材尺寸约450×75 mm,靶与样品之间距离约80mm
基片加热台基片结构尺寸125×125mm或156×156mm,一次可放入4片
加热温度室温~400℃±2℃,可控可调
气路系统质量流量控制器3路
设备占地面积主机2655×930mm2
电控柜700×700mm2(两个)
可为用户量身定制非标准产品
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