Cluster PECVD等离子体增强化学气相沉积系统

Cluster PECVD等离子体增强化学气相沉积系统

设备用途

本设备采用等离子体增强化学气相沉积技术,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,用以制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

设备组成

该系统主要由1个中央传输室、3个PECVD沉积室和一个进/出片室构成,并预留2个腔室接口后续使用。

技术指标

型号Cluster-IV
中央传输室尺寸:约Ф1000mm x280mm(H)
进/出片室尺寸:300mm×300mm×300mm
沉积室尺寸:260mm×260mm×300mm,1、2号PECVD室,3号VHF-PECVD室
真空系统配置中央传输室分子泵、机械泵、英福康全量程规、BPG400、阀门等
进/出片室机械泵、气动充气阀
沉积室进口分子泵、罗茨泵、机械泵、复合数显真空测量规与计、进口薄膜规、阀门等各一套
极限压力中央传输室≤2×10-4 Pa(经烘烤除气后)
进/出片室≤6.67×100 Pa (经烘烤除气后)
沉积室≤2×10-6 Pa (经烘烤除气后)
恢复真空时间中央传输室30分钟可达到6.67×10-3Pa(短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气)
进/出片室30分钟可达到10Pa(短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气)
沉积室30分钟可达到3×10-4 Pa(短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气)
真空检漏漏率中央传输室≤ 5.0×10-8 Pa.L/S
进/出片室≤ 5.0×10-7 Pa.L/S
沉积室≤ 1.0×10-8 Pa.L/S。
停泵关机12小时后真空度中央传输室≤15Pa
进/出片室≤50Pa
沉积室≤1 Pa
烘烤装置进/出片室150℃烘烤装置及托架一套,采用进口控温表和碘钨灯加热器闭环控制
样品托沉积室采用钼材料,基板尺寸114mm×114mm×3mm
加热器及控温电源沉积室基板温度范围室温-350℃连续可调,控温精度±1℃;进口控温表控温加热,K热电偶反馈测温。
工作气路系统(pecvd用)本征室1路,包含SiH4,H2,N2;
N型掺杂室1路,包含SiH4,H2,N2,PH3,NH3,CO2;
P型掺杂室1路进气,包含SiH4,H2,N2,CH4,三甲基硼(TMB),CO2;
进/出样室:各1路气体(N2)
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