多晶硅生长设备

多晶硅生长设备

硅烷法多晶硅生长炉

主要性能指标

  • 12对加热棒
  • 产能:800kg/炉
  • 纯度9-12N
  • 转化率:88%
  • 电耗:50度每公斤
  • 该系统可根据用户的特殊要求增减或开发相应的功能

技术指标

  • 硅烷法多晶硅生长设备主要用于电子级多晶硅的生成,其主要是利用硅烷热分解法生产纯度较高的电子级多晶硅产品
  • 硅烷热分解法硅烷(SiH4)是将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅
  • 设备的主要组成部分有:气源部分、反应室、真空系统、尾气处理部分和安全保护部分
  • 气源部分主要是提供多晶硅生长的原材料,以及对反应室和气路部分的吹扫等功能
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