ICP感应耦合等离子体刻蚀机

感应耦合等离子体刻蚀机

产品性能及特点

  • 设备稳定可靠、工艺性能卓越,主要用于半导体制造工艺中的介质刻蚀、硅刻蚀以及金属刻蚀工艺,也能用于太阳能电池片RIE工艺。
  • 可用于2-8寸工艺尺寸。
  • 设备采用半导体刻蚀机的成熟技术,实现了对腔室内等离体密度的均匀控制,满足多种材料刻蚀工艺的要求。
  • 设备采用模块化设计,整机包括工艺模块(PM: Process Module)和传输模块(TM: Transfer Module)。基片在工艺模块内进行刻蚀,工艺时,在基片上方产生等离子体,对基片进行刻蚀。传输模块装有全自动机械手取放片,或者安全性高互锁机构,实现基片在传输模块和工艺模块之间的传输,其传输方式可以根据客户要求选配。
  • 具备全自动的软件操作系统/半自动操作,可以根据客户选配
  • 主要应用范围:半导体芯片,TFT器件,膜层集成图像化,太阳能电池,银纳米,石墨烯等新材料制备等。
  • 该系统可根据用户的特殊要求增减或开发相应的功能

主要技术指标

真空室工位 单腔、多腔(MAX:7)
反应室极限真空度 ≤1x10-4Pa
工艺压强范围 2~133 Pa
样片尺寸 2~8英寸
刻蚀速率 100~3000nm/min
刻蚀均匀性 ±3%~±5%
RF电源 13.56MHZ /2MHZ/4MHZ 可选
样片热/冷却方式 Chiller , 可选He冷背吹
操作方式 全自动方式、半自动方式
可为用户量身定制非标准产品
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