JGP-560梨型双室磁控溅射系统

JGP-560梨型双室磁控溅射系统

设备用途

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

设备组成

主要由主溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热台、进样室、样品库、退火炉、反溅靶、磁力送样机构、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。

主要技术指标

型 号 JPG-560II
主溅射真空室 梨型真空室,尺寸φ560×350mm
进 样 室 圆筒型,卧式,尺寸φ250×420mm|
真空系统配置 主溅射室、进样室由各自独立的分子泵与机械泵机组抽气
极限压力 主溅射室 ≤6.67×10-6Pa(经烘烤除气后)
进 样 室 ≤6.67×10-4Pa(经烘烤除气后)
恢复真空时间 主溅射室 40分钟可达到6.6×10-4Pa(短时间暴露大气并充入干燥氮气后开始抽气)
进 样 室 40分钟可达到6.6×10-3Pa(短时间暴露大气并充入干燥氮气后开始抽气)
磁控靶组件 永磁靶5套;靶材尺寸:φ60mm(其中一个可以溅射铁磁性材料);各靶射频溅射与直流溅射兼容;靶与样品距离40~80mm可调
基片水冷加热公转台 基片结构 设计6个工位,其中1个工位安装加热炉,其余工位为水冷基片合
样品尺寸 φ30,可放置6片
运动方式 0~360°往复回转
加 热 基片加热最高温度600℃±1℃
基片负偏压 -200V
气路系统 质量流量控制器2路
进样室内配置 样品库组件 可一次安装6块样品
退火炉组件 对基片加热最高温度800℃±1℃
反溅射组件 对基片进行反溅清洗
磁力送样机构 用于样品从溅射室与进样室间取送
计算机控制系统 控制样品转动、挡板开启、靶位确认等
设备占地面积 主机 2600×900mm2
电控柜 700×700mm2(两个)
可为用户量身定制非标准产品
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