线列式PECVD等离子体化学气相沉积镀膜设备

线列式PECVD等离子体化学气相沉积镀膜设备

设备用途

本设备采用等离子体增强化学气相沉积技术,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,用以制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

设备组成

多室CVD结构由2个进出片室、3个独立PECVD反应真空室按直线结构连接,工件通过传输机构输送到各个真空室中进行工艺处理,各真空室间用插板阀连接。该系统主要由真空室、真空获得系统、射频和甚高频电源、衬底加热控温系统、气路系统、尾气处理系统、传动系统等部分组成。

技术指标

型号线列式PECVD
真空室真空室数量:3个;尺寸: 400×400×300mm;升压率:≤0.67Pa/h
进/出样室进/出样室数量:2个;尺寸: 400×300×300mm
真空系统配置真空室分子泵、直联机械泵、罗茨泵、CF-200气动闸板阀、复合数显真空测量规与计、薄膜规、放气阀各3套;进口系统压力APC闭环蝶阀1个
进/出样室共用罗茨泵一台、机械泵一台、数显真空计一台、放气阀一台
极限压力真空室≤1.0x10-5 Pa
进/出样室≤1.0×10-1Pa
恢复真空时间真空室40分钟可达到5×10-4Pa(系统从大气开始抽气)
检漏漏率真空室≤5.0×10-8Pa?L/s
工件及传输系统进/出样室、3个真空室组成一套,采用分段轨道结构,工件尺寸125×125mm,放置于工件小车上,小车在轨道上可连续运动。
样品托组件外形尺寸:155×155mm,材质为钼
板阀组件进/出样室配备阀2只,可实现开关3万次无故障
烘烤装置真空室加热温度约为100度,不控温
进/出样室进/出样室各一套,采用卤素灯加热方式,最高烘烤温度200度。
加热器组件真空室加热器及控温电源:3套;加热器采用铠装外热式,温度范围:室温-5000C ,连续可调;控温精度±1℃
气路系统真空室本征室1路,包含SiH4,H2,N2
真空室N型掺杂室1路,包含SiH4,H2,N2,PH3,NH3,CO2
真空室P型掺杂室1路,包含SiH4,H2,N2,CH4,TMB,CO2
进/出样室各一路气体(N2)
水冷系统对分子泵、真空室等进行冷却,有自动报警、延时切断相关电源功能
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